LDO之“噪声的抑制”

Image

本文主要介绍LDO的噪声抑制。

上一篇文章分析了LDO的内部噪声主要是带隙基准源产生的噪声,为了抑制带隙基准源产生的噪声,主要有下面三种办法。

  • 一是降低误差放大器的带宽,抑制了带隙基准源的高频噪声。但是降低带宽会使LDO的动态性能降低。

  • 二是在带隙基准源和误差放大器之间加低通滤波。高性能的LDO都会有一个噪声抑制NR管脚,CNR并联在带隙基准源和GND之间,起到低通滤波的作用。(有的芯片也叫BYPASS引脚)

  • 三是在反馈电阻R1上增加前馈电容CFF(也有在R2上增加旁路电容的)。在增加了CFF和CNR后,输出噪声可以表示为:

 

1

CFF越大,输出噪声就越小。频率越高,输出噪声越小。增加合适的前馈电容CFF,对改善LDO低频噪声有非常好的效果。

针对上述三种方式,实际的LDO芯片中采用的相关抑制技术也各不相同,具体可以参见相关的芯片手册。

在R1上并联电容(前馈电容)的情况如下:

 

1

在VREF上并联电容(旁路参考电压噪声)的情况如下:

1

1

在R2上并联电容(旁路反馈电压噪声)的情况如下:

 

1

1

1

旁路电容可以连接在反馈电压和地之间,也可以连接在VREF和地之间,还可以连接在反馈电压和输出之间。旁路电容可以减小输出噪声、相位裕度、PSRR,为了保持整个电源的稳定性,这种方式对COUT有特殊要求。

  • 由于LDO的启动时间在其内部和该电容有关,所以增加旁路电容会使上电时间变缓。

  • 对于输出可调的LDO,减小反馈分压电阻的值,也能减小噪声(阻值越小,FB引脚的寄生参数越小,引入的噪声也越小)

来源:

文章分类

相关文章

最新内容

关注微信公众号,抢先看到最新精选资讯

关注村田中文技术社区微信号,每天收到精选设计资讯